高通骁龙810处理器怎么样，高通骁龙810处理器安兔怎么样

1，高通骁龙810处理器安兔怎么样

不错，被820取代了，现在刷分比801或808都好，但据说赶不上骁龙652

高通骁龙810处理器安兔怎么样

2，高通晓龙810这款处理器怎么样

性能上过得去，但发热太厉害了，给出一张对比表格吧：

可以

高通晓龙810这款处理器怎么样

3，高通晓龙810怎么样

高通这款处理器发热量比较大，手机厂家一般是通过降频来缓解的，但这样做就不能发挥810的最大性能，所以目前810并不是最好的处理器，808比它略胜一筹

高通骁龙810完全碾压615啊。810是旗舰配置 615是中低端配置你说呢望采纳不懂可以追问

发热严重，其他很好，不过一旦过热就会自动降频，所以也是白搭在高通820正式出货以前，高通808和805也可以算是比较好的选择

高通晓龙810怎么样

4，高通骁龙810处理器怎么样

骁龙810是一款十足的失败品，高通也早早放弃810了，所以搭载810的产品很少，因为810是高通第一次使用8核心设计，因为工艺不成熟，造成810发热极其严重，搭载810的部分手机型号的发热和功耗巨大，而且因为是SOC底层的设计缺陷，各家手机厂商没办法通过后期的结构设计和软件优化来解决这个问题，所以高通和其他手机厂商早早放弃骁龙810.

高通骁龙810属于高通旗舰产品4个高性能的cortex-a57(主频2.0ghz)和4个低功耗的cortex-a53(主频1.5ghz)，八个核心可通过全局任务调度功能进入活跃运行状态。八个处理器同时工作。至于在高通强项的图形方面，集成全新的adreno 430，相较前几代产品有30%左右的提升，并且支持opengl es 3.1/aep特性。缺点是发热量较大。

5，高通骁龙820和810和801怎么样

都是垃圾。801是小米4 820三星s7e 810 810小米note这三个我都用过。解锁了核心都是火炉。

毫无疑问的820啊，801是上上一代的产品了

骁龙801是四核，高通Krait400自主架构，虽然没有同期的旗舰英业达Tegra4性能高，但是在平衡功耗和GPU上更胜一筹。在三者中性能最低。骁龙810采用了arm公版架构，8核处理器，说实话比krait更好。但810的推出比较仓促，发热并没有控制好，所以，810是一个败笔。性能虽好，但不推荐。828回归到四核，在功耗有了更佳的控制，根据网上的跑分来看，820很强，具体使用要看820平台的手机上市以后。

骁龙810，采用armv8指令集大小核双四核cpu 八核可同时运行，小四核主频1.5ghz，大四核主频2.0ghz骁龙820采用高通自家64位koyr指令集，四核处理器，最高主频在3ghz以上

6，A8处理器和骁龙810处理器哪个好

CPU部分：苹果A8单线程性能1630分，高通骁龙810为1163分，A8领先40%左右；A8多线程性能2927分，骁龙810为3899分，骁龙810领先33%左右。GPU部分：GFXbench曼哈顿离屏测试，高通骁龙810的Adreno 430为24帧，A8的PowerVR GX6450为17.8帧，骁龙810领先35%左右；T-rex离屏测试，骁龙810为50帧，A8为42.3帧，骁龙810领先18%左右。虽然高通骁龙810性能强大，但发热严重，HTC M9在测试中甚至达到了55.4°，而iPhone 6 Plus仅为39.4°，详细跑分情况请看下图，满意请采纳，谢谢。

奉劝楼主，这个根本就没对比性。　　　因为a8是为iOS而生的，高通是为安卓而生的，这两个系统差别太大，一个封闭系统，比较统一，优化很好，更注重单核能力，对运存需求也不大。安卓开放系统，各自优化修改，适合玩机，但是缺乏统一，对运存需求高很多，对CPU多线性能要求高，。　　　所以就和学霸、艺术特长生对比一样，根本就没对比性，需求的东西差别很大，部分共通点。

在性能上骁龙810好，图像处理上A8好，散热A8好

果断A8啊，iOS优化好。

7，求你对晓龙810处理器的看法谢谢

众所周知，Cortex A系列的大核心一直以来功耗都相当令人感动，所以ARM才会研发对应的小核心，推出异构多核方案来解决综合续航问题。高通则走的是小核高频策略，依靠小得多的Krait核心，配合接近2.5GHz的频率，相对而言兼顾了效率和功耗。这一直以来是高通产品的竞争优势，但是既然骁龙810选择了Cortex A57+Cortex A53，这一优势自然也无法继续，那么如何解决Cortex A57的高功耗？一部分靠软件优化，一部分靠硬件优化，最重要的还是要靠工艺。所以骁龙810成为了高通产品线上唯一一个应用了TSMC 20nm工艺的产品。只可惜TSMC又一次坑了高通。由于28nm上的大放异彩，TSMC很早就决定提前研发16nm节点，后者会是台积电首次引入三栅晶体管，也就是FinFet，简称FF的工艺节点。FF可能是近几年来半导体工艺里最大的突破之一，当然也是最大的一道槛，在当时只有Intel掌握，其他厂家都还在摸索。TSMC认为提前研发16FF工艺，可以继续维持自己的领先优势，因此对于20nm工艺的态度显得非常随意，仅仅是28nm工艺的线宽缩小，并没有引入任何新的技术。一个没有引入任何新技术的工艺节点，仅仅缩小了线宽，能有多大的性能提升是可想而知的，就好比当年40LP工艺进化到28LP工艺一样。与此同时，作为TSMC主要竞争对手的三星，也在全力研发14nm FinFet工艺，但是与TSMC稍有不同的是，由于在28nm HKMG工艺上相对落后，三星在20nm HKMG工艺节点上引入了Gate Last流程，这个改变让三星在20nm HKMG节点上可以分开处理NMOS和PMOS，结果是NMOS的性能提升了大约15%，而PMOS的性能提升了大约90%——这个事情TSMC在28nm工艺上就已经做了，三星虽然做的晚了一代，但是这也客观上导致三星的20nm HKMG工艺相对于自家28nm HKMG工艺的提升，要比TSMC 20SoC工艺相对28HPM工艺来得大。而两家的28nm工艺性能实际上是差不多的，因此结果就是，三星20nm工艺的总体性能要超越TSMC 20nm。那么TSMC 20nm到底是个什么水平呢？山寨分析师尝试了一系列对比，希望能得到一个大致的结果。首先，我们来对比一下华为麒麟920处理器与三星Exynos 5430处理器。这两颗处理器的大核心都是r3p0版本的Cortex A15，前者工艺为TSMC 28HPM，后者为三星20HKMG。根据外媒测试结果，麒麟920在工作频率为1.7GHz时，Cortex A15单核功耗大约为1.5W，而工作在1.8GHz的Exynos 5430，单核功耗则是0.75W，三星20HKMG工艺的同频功耗比TSMC 28HPM要低了50%还多一点。考虑到麒麟920是华为的第一枚Cortex A15，而Exynos 5430已经是三星的至少第六枚Cortex A15产品，经验差距太明显，因此工艺带来的差距山寨分析师姑且认为是40%左右。而TSMC 20SoC工艺，根据TSMC自己的PPT，同频功耗相对28HPM低了20%，即便不考虑TSMC幻灯片里满满的水分，即便这20%的数字是真实的，这也意味着TSMC 20SoC工艺相对于三星20HKMG同频功耗高了33%。先记住这个数字，我们继续看一颗处理器，三星Exynos 5433。这是一枚Cortex A57处理器，与骁龙810相同，而工艺则是三星20HKMG。外媒测试表明，Exynos 5433运行在1.9GHz时，单颗Cortex A57核心功耗为1.5W。好，让我们应用之前的数据，就可以得出，以TSMC 20SoC工艺制造的骁龙810，单颗核心运行在1.9GHz时的功耗预计为1.99W。要知道Exynos 5433的1.5W功耗，是在32位模式下得出的，而高通为骁龙810设计的最大工作频率是2.0GHz：这意味着骁龙810处理器如果真的可以运行在高通设计的2.0GHz下，那么只需要一颗核心满载，功率就可以突破2W，四颗就是8W，加上GPU，必然能突破华为麒麟920创造的11.5W峰值记录——要知道后者这可是整机功耗。这样大的功耗意味着什么，相信不需要山寨分析师再解释了吧。这能不过热吗？能不降频吗？甚至，骁龙810在没有因为过热降频之前，就会因为总功率过大而触发降频，毕竟超过8W的功率，即便来不及导致过高的温度，对于电池而言也是不可承受的。由此看来，骁龙810存在过热问题的传闻，有一定的事实基础，某种程度上说可谓空穴来风。三、高通否认的是什么不出意料的，高通坚决否认了骁龙810存在过热问题，一方面声称有60款采用骁龙810的产品即将问世，另一方面拉上了LG一起证明骁龙810真的不热。这到底是怎么回事？实际上，高通否认的过热，和骁龙810的发热并不是一回事，要理解这点，需要了解半导体芯片的所谓功耗拐点。正常而言，半导体芯片的功耗随着频率的提升，是以一个介于直线到指数曲线之间的方式提升，因为功耗和频率成正比，和电压的平方成正比，随着频率的提高，电压也需要稍稍提升。但实际的芯片，当频率达到某一个特定值的时候，功耗会出现爆发式的增长，增幅远远超过之前正常的增幅，这个点就叫功耗拐点。几乎任何实际芯片都有功耗拐点，这个和工艺有关，也和芯片的具体设计有关，因此绝大多数芯片都会把拐点安排在工作频率上限之外。问题是，最初版本的骁龙810芯片拐点可能实在是有些低。根据不久前流传出的某些新闻数据，最初版本的骁龙810芯片，功耗拐点可能低至1.46GHz——这绝对是无法容忍的，否则骁龙810的正常工作频率最高只能达到1.5GHz。当然，这个传言是否真实，山寨分析师无法考证，但是这可以形成一个解释的通的理论：高通通过紧急硬件修改，把功耗拐点从1.46GHz提升到了大约1.8GHz，让骁龙810至少拥有了可以工作的条件，虽然不知道这样的修改代价是什么。因此，高通所否认的骁龙810存在的“过热问题”，实际上很可能是拐点过低导致的功耗不可控式爆发增长问题，它和我们理解的芯片正常发热量过大并不是同一个概念。否认了骁龙810存在“过热问题”，并不代表骁龙810的发热量不大，毕竟LG一方面帮高通证实骁龙810不存在过热问题，另一方面也在另外一个场合承认了骁龙810的确很热，这也从侧面佐证了山寨分析师的看法。四、骁龙810实际情况究竟如何说了这么多，其实最重要的是结果，那就是骁龙810究竟是什么水平。对此高通这几天通过外媒放出了一组跑分和发热测试数据。具体的数据这里不列举，只提几个关键的：高通表示，骁龙810在以固定30fps运行游戏时，发热比骁龙801要低5度——后者达到45度，前者只有40度。同时，骁龙810的各项测试结果都显著的优于骁龙805，平均增幅可以达到30%以上。这个结果看起来相当不错，但是请注意，这个结果是用这样一台开发原型机跑出来的：说真的，山寨分析师相信现在任何一个买得到的手机处理器，如果塞在这个机身里，一定感觉不到发热，性能也会快的飞起，因为这个机身已经足够放得下热管风扇了。当然，这只是开玩笑，但是高通用这样一个设备来证明骁龙810的性能和发热，实在是让人觉得不太有说服力。好在，骁龙810还是有实际手机产品的，那就是LG G Flex 2。在这台LG称骁龙810没有发热问题的机器上，骁龙810的表现究竟如何呢？首先看看GeekBench3的结果。测试丧心病狂的执行了9次，结果如下。GeekBench3执行一次测试的时间差不多一分钟，9次测试不过10分钟左右，性能跌落已经超过了50%，这显然是由于降频导致的。再来对比一下Exynos 5430，为了对比，山寨分析师也丧心病狂的跑了9次。把这两个表的数据汇总一下：结果很明显，Exynos 5430的性能下降速度和幅度要远远低于骁龙810，而仅仅在第一次测试中，骁龙810的成绩超出Exynos 5430，从第二次开始，Exynos 5430就凭借更慢的降频，性能反超骁龙810，而在第九次时，单线程和多线程甚至分别领先了59%和51%——仅仅过去了不到10分钟。在不需要考虑散热限制的高通MDP上，GeekBench3的得分是1318/4254。可见，当骁龙810进入到真正的手机里之后，受限于发热量和功耗上限，即便是短期性能，在GeekBench3里也出现了10～15%的下降，至于长期性能……再看看其他几台预计采用骁龙810的手机在GeekBench3中的表现。SONY Z4的得分为1196/3576，HTC M9最好成绩之一为1309/4055。可见，1200/3600分基本上可以认为是骁龙810在手机环境下普遍的成绩基准，即便再激进，也只能达到1300/4000水平。这样的成绩是什么水平？让我们来对比一下骁龙805，后者的单线程和多线程得分分别为1085/3242，这主要是由于骁龙805不支持ARMv8指令集，在GeekBench3里几个加密项目存在较为大的劣势，实际性能可以说是伯仲之间。我们还可以更进一步的去对比一下更多实际应用程序和跑分。结果进一步证明了，在实际应用和跑分测试中，由于功耗限制，骁龙810和骁龙805互有胜负，基本可以看作是同等水平，远没达到理想状况下超过30%的平均提升，而且在CPU密集型的应用，例如3Dmark的物理测试中，骁龙810甚至还有大幅度的倒退。值得注意的是，这些都是理论最大性能测试，并不能直接决定实际体验。这方面来说，骁龙810由于首次引入异构多核心模式，很可能会和三星、MTK一样，碰到这个架构所特有的缺点：为了避免过高的功耗，系统会尽可能的用小核心，也就是Cortex A53来工作。骁龙810的4颗Cortex A53核心的工作频率仅为1.55GHz，如果纯靠小核心工作，其性能甚至比不过千元级中常见的，拥有8颗1.7GHz Cortex A53核心的MT6752；而要体现出骁龙810的性能，调用大核心又会带来无法接受的功耗，这是一个目前谁都没能解决的问题。实际上，在GeekBench3测试中，MT6752虽然单线程分数只有800左右，但是多线程却突破了4000分，甚至已经要比绝大多数手机中的骁龙810还高，这不知道是不是一种讽刺。

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