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1，三星的U盘怎么样

最好的是：金士顿，东芝，闪迪，台电，惠普，三星也可以的价钱当然比这些要便宜
貌似三星不出u盘 那些都是假的吧 反正以前市面的所谓的三星u盘 其实都是冒牌货
很好啊，质量可以

三星的U盘怎么样

2，购买固态硬盘 三星的好 还是闪迪的好

当然是三星的好了。
三星的有什么好的
三星固态低于800元的都是蜗牛速度(入门级)闪迪加强版 也一般，价格优势！选固态 3D NAND MLC闪存颗粒，然后考虑品牌
三星
闪迪高端很好，质保也长，但是价格很贵，低端性能一般，三星的evo写入量给的小，pro比较贵，基本还是看钱说话。
购买三星固态硬盘最好。

购买固态硬盘 三星的好 还是闪迪的好

3，三星的内存条怎么样

三星正品内存条可享受终身质保的服务。若内存条出现问题，请联系官方客服电话
我笔记本加内存 也是想买三星的 但是没卖的……就加了金士顿，也没什么问题 金士顿的U盘 实在太低劣
可以 假货不多！ DDR1代的1G在300左右 DDR2代的1G在150左右内存技术相对成熟 我要买看下做工就可以了 要是假的做工不错我当然愿意买因为便宜！
很难说的。当然是三星的了。没有好办法。就是拿主机试试是最好的方法。或者你把你的内存卖掉，买2根其他牌子的。

三星的内存条怎么样

4，固态硬盘是闪迪还是三星的好三星的好贵啊还有什么牌子推荐吗

三星的不是很贵呀，现在固态大降价，120g基本都两百多，具体参数我不太懂，我的电脑用的一个小牌子的，金胜维。。也照样很快
inter的ssd属于一线品牌，三星，东芝，美光均能自产闪存颗粒，属于有实力的大品牌。
其实无所谓，在正常的条件下你用起来是感觉不到区别的，而只是质量要看时间验证了，三星一般自己的芯片颗粒，质量要好些吧，闪迪速度快可是也没有说看出区别，看测试软件的那个差别你也感觉不到的，推荐的话我感觉镁光吧，有些批次是三星颗粒的，起码我用到现在3年了也没问题。只要不是金士顿就应该问题不大。
三星

5，闪迪金士顿三星内存卡哪个最好

产品不同，产品的配置、设计理念、适用人群等也是不一样的，各有优势建议根据需求及喜好选择合适的机型。如需了解三星产品的详细机型信息，请登陆三星官网-点击右上角输入型号查询。
正品，同一价格范围内的产品基本是没有多大差别的。但是就目前市场的情况来说，金士顿假卡最多，其次是三星的EVO橙卡。然后是闪迪的红灰卡。如果自己没有鉴别的能力，不要随便到淘宝或是实体店买，推荐到京东选择自营品牌，这样可以最大限度避免买到假货，而且京东售后不错，有张三星EVO旧版黑底红字的32G用了一年多出了问题，走售后返修，一个星期之后就给换了张新版的32G橙卡。目前京东的创见、十铨的内存卡都不错，价格普遍比金士顿三星闪迪低一些，反响也不错。目前用的基本是三星橙卡和创见的。

6，三星的ssd哪一款比较好840系列以后的120G及以上价格五百至

浦科特M6S 256G吧
EVO的TLC闪存还是拉倒吧。。。 三星不推荐选择。
为您推荐三星SSD 850EVO系列。V-NAND什么是 3D V-NAND？它与现有技术有什么不同？三星独一无二的创新性 3D V-NAND 闪存架构是一项巨大突破，克服了传统平面 NAND 架构的密度、性能和耐久性局限。3D V-NAND 的架构设计通过让 32 个芯片层彼此垂直堆叠，而不是缩减芯片尺寸并尝试将自身容纳到一个固定的水平空间，因此使得密度更高，性能更好，而占用的空间更小。极致读取/写入性能TurboWrite 技术带来无可匹敌的读写速度，优化日常计算性能借助三星的 TurboWrite 技术，实现终极读写性能，最优化您的日常计算体验。相比 840 EVO*，您不仅可以获得超过 10% 的用户体验提升，而且 120/250 GB 型号** 的随机写入速度最高可以提速 1.9 倍。850 EVO 可以提供一流的顺序读取 (540 MB/s) 和写入 (520 MB/s) 性能。此外，在客户端 PC 使用情况下，您可以获得针对全部 QD 的优化的随机性能。增强的可靠性3D V-NAND 技术为耐久性和可靠性带来保障支持 与上一代的 840 EVO** 相比，850 EVO 的 TBW * 翻倍，且可以提供业内领先的 5 年质保，因此可以提供耐用性和可靠性保障。对比 840 EVO，850 EVO 可以最小化性能下降，从而带来高达 30% 的稳定性能提升，业已证明是值得依赖的存储设备。
非要买三星的话只建议850 PRO啊，256G吧。如果预算不够就128G

7，三星固态硬盘evo和pro的区别

这个就简单啦,虽然使用上感觉的差距不是很明显,不过,就好像普通硬盘与服务器硬盘的对比:一个是普通产品,一个是高端旗舰型号!三星固态硬盘PRO和EVO简单来说定位有所区别，PRO定位高端旗舰型号，EVO定位亲民大众型号。我从官方客服得到答案是，EVO用的是闪存颗粒是Samsung V-NAND 3bit MLC，PRO用的闪存颗粒是Samsung V-NAND 2bit MLC，而实际Samsung V-NAND 3bit MLC就是3D TLC颗粒。所以可以总结为：PRO主要采用的是可靠性和性能非常出色的MLC NAND颗粒，EVO而采用的是性价比且可靠性也非常高的3D TLC NAND颗粒。到底啥是MLC啥是TLC，大家可能有些晕，我先给大家简单普及下。颗粒的传统分类：SLC、MLC、TLC简单来说，NAND闪存中存储的数据是以电荷的方式存储在每个NAND存储单元内的，SLC、MLC及TLC就是存储的位数不同。SLC（Single-Level Cell）单层式存储每个存储单元仅能储存1bit数据，同样，MLC（Multi-Level Cell）可储存2bit数据，TLC(Trinary-Level)可储存3bit数据。一个存储单元上，一次存储的位数越多，该单元拥有的容量就越大，这样能节约闪存的成本，提高NAND的生产量。MLC的优势在于，TLC需要识别8种信号，而MLC只需要识别4种信号，可以花更少时间来读取数据。因此，3D NAND出现之前，MLC在性能和可靠性上，是高于TLC的。但是，随着三星的3D TLC的出现，TLC与MLC的性能和可靠性逐渐拉小差距。3D NAND闪存：三星的杀手锏级产品刚介绍的NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm。虽然先进工艺虽然带来了更大的容量，但是NAND闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，NAND的硅基越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。相比之下，3D NAND解决问题的思路就不一样了，想要提高NAND的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了。由于已经向垂直方向扩展NAND密度，那就没有继续缩小晶体管的压力了，所以三星可以使用相对更旧的工艺来生产3D NAND闪存，做成3D V-NAND MLC或者3D V-NAND TLC。现在三星已经就这样做了，Pro是3D MLC，Evo是3D TLC。使用旧工艺的好处就是P/E擦写次数大幅提升，而且电荷干扰的情况也因为使用旧工艺而大幅减少。三星闪存颗粒过去房子基本都是一层平房，要想在固定大小的房子里隔出更多的房间，就需要压缩每个房间的空间。随着租客越来越多，房间空间越来越小了，只能放一张床了，再继续压缩的话，人都住不了。怎么办？聪明的建筑师想到了可以在房子上再盖房子，拓展垂直空间。现在好了，有人可以搬到楼上去，大家再也不用挤在那么小的房间。3D NAND闪存思想就是这样的，不是一味的在一个平面提升闪存密度，而是堆积多个平面，达到提升闪存容量的目的。将平房增加楼层盖成高楼，单位面积内可容纳的人就会更多，这点是同理的。由此我们也可以得出结论3D MLC>3D TLC>2D MLC>2D TLC，现在不管购买三星PRO还是EVO都不用过分考虑SSD闪存寿命问题，可能电脑主机完全淘汰了SSD还健在，而从正常使用考虑三星EVO采用3D TLC技术也足以应对日常数据处理，追求更高性能的用户则可以考虑三星PRO系列产品，性能更为出色！
以三星固态硬盘840 evo和840 pro区别为例，如下： 两款固态硬盘的nand flash闪存芯片不同，840 evo采用的闪存芯片为tlc，840 pro采用的闪存芯片为mlc，后者无论从读写速度与使用寿命上都强于840 evo。

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